タイトル
授業内容および成績の評価法に変更が生じる場合があります。
※授業実施形態が変更になる場合は,GoogleClassroomまたは教務情報システムより通知します。
複数の曜日や時限で開講される科目は「曜日時限」欄に一部の開講曜日時限しか表示されないことがあります。
開講曜日時限の詳細は時間割を確認してください。

科目名[英文名]
先端マイクロエレクトロニクス特論Ⅱ [Advanced Microelectronics 2]
時間割番号 D32030060  区分 電気・電子情報工学専攻  選択必須 選択 
開講学期 後期  曜日時限 月1~1  単位数 2 
開講学部等 大学院工学研究科博士後期課程  対象年次 1 
開講学科 電気・電子情報工学専攻  開講年次 D1 
担当教員[ローマ字表記]
河野 剛士, 髙橋 一浩, 崔 容俊, 山根 啓輔 KAWANO Takeshi, TAKAHASHI Kazuhiro, CHOI YONG JOON, YAMANE Keisuke 
ナンバリング 大分類1 大分類2 中分類
電気・電子情報 博士後期 電子デバイス/電子デバイス・指定なし
ELC_DOC74020  レベル 小分類1(必修選択区分) 小分類2(使用言語区分)
大学院博士後期課程 必修以外 日本語
授業の目標
日本語
先端的な半導体デバイスのための理論、デバイス構造、設計や作製プロセスを理解することを目標とする。
英 語
To understand semiconductor physics, structure, design, and processing of advanced semiconductor devices.
 
授業の内容
日本語
本講義は、固体電子工学I,IIおよび電子デバイス論を基礎としており、この科目は前半と後半の4つの部分から構成される。

1. 受光素子技術(崔)
2. ヘテロ接合とバンドエンジニアリング(山根)
3. 先端MEMS/NEMS技術(高橋)
4. マイクロデバイス技術(河野)

講義に加えて学生が主体的に取り組むケーススタディも実施する。学生は与えられた課題についての調査研究や、要求を満足するデバイスを設計するなどの課題に取り組み、プレゼンテーションを行う。

授業の進め方は、受講学生の学習履歴や受講学生人数をみて、効果的な学習が進められる形式で行う。

授業内容および成績の評価法に変更が生じる場合があります。
授業実施形態が変更になる場合は、GoogleClassroom または教務情報システムより通知します。
英 語
This course is based on Solid State Electronics I, II and Electronic Device Theory.
This subject consists of four parts.

1. Photodetector technology (Choi)
2. Band engineering and quantum effect devices (Yamane)
3. Advanced MEMS/NEMS technologies(Takahashi)
4. Semiconductor device technology (Kawano)

Adding to lectures by professors, in this subject, a case study is also conducted. Namely, students are required to give a presentation on researches on the given topics, and on design of devices that satisfies required specifications.

The class will be conducted so as to achieve effective learning based on the learning history of the students and the number of students taking the class.

In case of any changes to the course content and evaluation of achievement or the class format, it will be informed via Google Classroom or KYOMU JOHO SYSTEM.
 
予習・復習内容
日本語
関連分野の技術動向,先端的研究の動向について,各自文献調査などで講義内容を補足する調査活動を行うこと。
これにより,当該分野での単なる知識の習得ではなく,実践的視点に立った理解を達成する様に心がけること。
英 語
By conducting field surveys that complement the contents of lectures, such as technical trends in related fields and research trends in cutting-edge research, you can gain an understanding from a practical perspective, rather than acquiring knowledge in those fields .
 
備考
日本語
本講義は、固体電子工学I,IIおよび電子デバイス論を基礎としています。
これらの授業を受けていない場合は各自でこれらの教科の範囲を学習して臨むこと。
英 語
This course is based on Solid State Electronics I, II and Electronic Device Theory.
If you have not taken these classes, you should study the scope of these subjects by yourself.
 
関連科目
日本語
博士前期課程:電子デバイス論,センシングシステム,集積電子システム論,光エレクトロニクス, 固体電子工学I,II
英 語
Solid State Physics,
Electronic Devices,
Intelligent Sensing Systems,
Integrated Circuits,
Optoelectronics,
Solid State Electronics I,II
 
教科書
 
教科書に関する補足事項
日本語
英 語
 
参考書
 
参考書に関する補足事項
日本語
S.M.Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley)
英 語
S.M.Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley)
 
達成目標
日本語
1. 半導体における基本的な物理現象を深く理解し、基本的な半導体デバイスの動作原理を修士課程学生に説明できること
2. 与えられた要求仕様を満足する半導体デバイスの基本部分を設計することができること
3. 与えられたトピックスを調査し、講義できること
英 語
You will be able to:
1. Deeply understand fundamental phenomena in semiconductors, and explain operation principle of basic semiconductor devices to master course students.
2. Design a essential part of semiconductor devcie that satisfies the given specification.
3. Investigate on given topics, and give a lecture on this.
 
成績の評価法(定期試験、課題レポート等の配分)および評価基準
日本語
ケーススタディや研究調査のレポート(100%)で評価する。
英 語
Achievement of lectures of the case study, and writing research reports(100%).
 
定期試験
日本語
レポートで実施
英 語
By Report
 
 
定期試験詳細
日本語
レポートで実施
英 語
By Report
 
その他
日本語
選択に際しては下記の教員にコンタクトすること。

河野剛士:C-603 kawano[at]ee.tut.ac.jp
高橋一浩:C-606 takahashi[at]ee.tut.ac.jp
山根啓輔:C-608 yamane[at]ee.tut.ac.jp
崔容俊:C-303-A choi[at]ee.tut.ac.jp
英 語
Before choosing a sub-course, contact to following professors

Takeshi Kawano:C-603 kawano[at]ee.tut.ac.jp
Kazuhiro Takahashi:C-606 takahashi[at]ee.tut.ac.jp
Keisuke Yamane: C-608 yamane[at]ee.tut.ac.jp
Yong-Joon Choi: C-303-A choi[at]ee.tut.ac.jp
 
ウェルカムページ
日本語
特になし
英 語
N/A
 
オフィスアワー(教員の連絡先は教務情報システムからシラバス検索してください)
日本語
メール等でアポイントを取ってください。
英 語
Take an appointment by e-mail.
 
ディプロマポリシーとの対応
日本語
(C)高度な知識を統合的に活用できる実践力・創造力
電気・電子情報工学およびその関連分野に関する高度な知識を修得し,それらを課題解決のために統合的に活用できる実践的・創造的能力を身につけている。
電気・電子情報工学専攻
(C)高度な知識を統合的・発展的に活用できる実践力・創造力
電気・電子情報工学およびその関連分野に関する高度な知識を修得し,それらを広範囲に有機的に連携させた研究開発方法論を体得することで,課題解決のための独創的な技術を創造し,実践できる能力を身につけている。



英 語
(C) Practical and creative skills to utilize advanced knowledge in an integrated manner
Have advanced knowledge about electrical and electronic information engineering as well as related fields; have the practical and creative skills to utilize such knowledge for problem solving in an integrated manner



Graduate Program of Engineering of Electrical and ElectronicInformation Engineering for Doctoral Degree
(C) Practical and creative skills to utilize advanced knowledge in an integrated manner
Have advanced knowledge about electrical and electronic information engineering as well as related fields; have the practical and creative skills to utilize such knowledge for problem solving in an integrated manner



 
キーワード
日本語
固体電子工学、半導体物理、レーザーダイオード、低次元量子デバイス
英 語
Solid-state electronics, semiconductor physics, laser diode, low-dimensional quantum devices
 

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